FDD3510H

codice articolo del costruttore:	FDD3510H
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
Schede tecniche:	FDD3510H Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	PowerTrench®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N and P-Channel, Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 40V
Potenza - Max	1.3W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252-4L

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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