SI4561DY-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SI4561DY-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
Schede tecniche:	SI4561DY-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.8A, 7.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	640pF @ 20V
Potenza - Max	3W, 3.3W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

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