SI1026X-T1-E3

codice articolo del costruttore:	SI1026X-T1-E3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
Schede tecniche:	SI1026X-T1-E3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	305mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V
Potenza - Max	250mW
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-89-6

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