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codice articolo del costruttore: | DMN2013UFX-7 |
Produttore: | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) |
Parte della descrizione: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
Schede tecniche: | DMN2013UFX-7 Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Standard |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57.4nC @ 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2607pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.14W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | W-DFN5020-6 |
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente