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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M

codice articolo del costruttore: TPC8212-H(TE12LQ,M
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Schede tecniche: TPC8212-H(TE12LQ,M Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTape & Reel (TR)
Stato della parteObsolete
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds840pF @ 10V
Potenza - Max450mW
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP (5.5x6.0)
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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