QS6K1TR

codice articolo del costruttore:	QS6K1TR
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Schede tecniche:	QS6K1TR Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	238mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	77pF @ 10V
Potenza - Max	1.25W
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	TSMT6 (SC-95)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 10180

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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