SI4818DY-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SI4818DY-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Schede tecniche:	SI4818DY-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	LITTLE FOOT®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.3A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1W, 1.25W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

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