QS8M13TCR

codice articolo del costruttore:	QS8M13TCR
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
Schede tecniche:	QS8M13TCR Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Not For New Designs
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 10V
Potenza - Max	1.5W
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore	TSMT8

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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