SI3529DV-T1-E3

codice articolo del costruttore:	SI3529DV-T1-E3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Schede tecniche:	SI3529DV-T1-E3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N and P-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A, 1.95A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	205pF @ 20V
Potenza - Max	1.4W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP

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