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codice articolo del costruttore: | SIZ926DT-T1-GE3 |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
Parte della descrizione: | MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR |
Schede tecniche: | SIZ926DT-T1-GE3 Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | TrenchFET® Gen IV |
Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc), 60A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V |
Potenza - Max | 20.2W, 40W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |
Stato delle scorte: 1378
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
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