2SK545-11D-TB-E

codice articolo del costruttore:	2SK545-11D-TB-E
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	JFET N-CH 1MA 125MW CP
Schede tecniche:	2SK545-11D-TB-E Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)	-
Tensione da Drain to Source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	60 µA @ 10 V
Corrente assorbita (Id) - Max	1 mA
Tensione - Taglio (VGS off) @ Id	1.5 V @ 1 µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1.7pF @ 10V
Resistenza - RDS (On)	-
Potenza - Max	125 mW
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore	3-CP

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 6537

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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