GB2X100MPS12-227

codice articolo del costruttore:	GB2X100MPS12-227
Produttore:	GeneSiC Semiconductor
Parte della descrizione:	SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
Schede tecniche:	GB2X100MPS12-227 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Configurazione diodi	2 Independent
Tipo di diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC inversa (Vr) (max)	1200 V
Corrente - Rettificata media (Io) (per diodo)	185A (DC)
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 100 A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0 ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	80 µA @ 1200 V
Temperatura di esercizio - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-227

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