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IR (Infineon Technologies) / DD1200S33K2CB3NOSA1
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DD1200S33K2CB3NOSA1
| codice articolo del costruttore: | DD1200S33K2CB3NOSA1 |
| Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte della descrizione: | MODULE DIODE IHV130-3 |
| Schede tecniche: | DD1200S33K2CB3NOSA1 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- IR (Infineon Technologies) DD1200S33K2CB3NOSA1 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | - |
| Pacchetto | Tray |
| Stato della parte | Last Time Buy |
| Configurazione diodi | 2 Independent |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - DC inversa (Vr) (max) | 3300 V |
| Corrente - Rettificata media (Io) (per diodo) | 1200A (DC) |
| Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If | 3.5 V @ 1200 A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1700 A @ 1800 V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 125°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | A-IHV130-3 |
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| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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