GE2X8MPS06D

codice articolo del costruttore:	GE2X8MPS06D
Produttore:	GeneSiC Semiconductor
Parte della descrizione:	650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Schede tecniche:	GE2X8MPS06D Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Configurazione diodi	1 Pair Common Cathode
Tipo di diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC inversa (Vr) (max)	-
Corrente - Rettificata media (Io) (per diodo)	19A (DC)
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If	-
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	-
Temperatura di esercizio - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3

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