A2G35S160-01SR3

codice articolo del costruttore:	A2G35S160-01SR3
Produttore:	NXP Semiconductors
Parte della descrizione:	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
Schede tecniche:	A2G35S160-01SR3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo di transistor	LDMOS
Frequenza	3.4GHz ~ 3.6GHz
Guadagno	15.7dB
Tensione - Test	48 V
Corrente nominale (Amp)	-
Figura di rumore	-
Corrente - Test	190 mA
Potenza - Uscita	51dBm
Tensione - Nominale	125 V
Pacchetto / caso	NI-400S-2S
Pacchetto dispositivo fornitore	NI-400S-2S

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 224

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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