1N8031-GA

codice articolo del costruttore:	1N8031-GA
Produttore:	GeneSiC Semiconductor
Parte della descrizione:	DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
Schede tecniche:	1N8031-GA Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo di diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC inversa (Vr) (max)	650 V
Corrente - Media Rettificata (Io)	1A
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 1 A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0 ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	5 µA @ 650 V
Capacità @ Vr, F	76pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-276AA
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-276
Temperatura di esercizio - Giunzione	-55°C ~ 250°C

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