TRS8E65F,S1Q

codice articolo del costruttore:	TRS8E65F,S1Q
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	DODE SCHOTTKY 650V TO220
Schede tecniche:	TRS8E65F,S1Q Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo di diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC inversa (Vr) (max)	650 V
Corrente - Media Rettificata (Io)	8A (DC)
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If	1.6 V @ 8 A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0 ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	40 µA @ 650 V
Capacità @ Vr, F	28pF @ 650V, 1MHz
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione	175°C (Max)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 55

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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Calcolo del trasporto

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