GC08MPS12-220

codice articolo del costruttore:	GC08MPS12-220
Produttore:	GeneSiC Semiconductor
Parte della descrizione:	SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2
Schede tecniche:	GC08MPS12-220 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo di diodo	Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC inversa (Vr) (max)	1200 V
Corrente - Media Rettificata (Io)	43A (DC)
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 8 A
Velocità	No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	0 ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr	7 µA @ 1200 V
Capacità @ Vr, F	545pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione	-55°C ~ 175°C

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 529

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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