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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / S3JHE3_A/I

S3JHE3_A/I

codice articolo del costruttore: S3JHE3_A/I
Produttore: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Parte della descrizione: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Schede tecniche: S3JHE3_A/I Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Stato della parteActive
Tipo di diodoStandard
Tensione - DC inversa (Vr) (max)600 V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If1.15 V @ 2.5 A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)2.5 µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr10 µA @ 600 V
Capacità @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoDO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AB (SMC)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 315

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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