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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / 1N6484HE3/97

1N6484HE3/97

codice articolo del costruttore: 1N6484HE3/97
Produttore: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Parte della descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB
Schede tecniche: 1N6484HE3/97 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieSUPERECTIFIER®
PacchettoTape & Reel (TR)
Stato della parteActive
Tipo di diodoStandard
Tensione - DC inversa (Vr) (max)1000 V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If1.1 V @ 1 A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10 µA @ 1000 V
Capacità @ Vr, F8pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoDO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-213AB
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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