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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / ES2DHE3J_A/H
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ES2DHE3J_A/H
| codice articolo del costruttore: | ES2DHE3J_A/H |
| Produttore: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Parte della descrizione: | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA |
| Schede tecniche: | ES2DHE3J_A/H Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division ES2DHE3J_A/H è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - DC inversa (Vr) (max) | 200 V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 2 A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 20 ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Capacità @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
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| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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