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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-SD303C10S10C

VS-SD303C10S10C

codice articolo del costruttore: VS-SD303C10S10C
Produttore: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Parte della descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO200AA
Schede tecniche: VS-SD303C10S10C Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo di diodoStandard
Tensione - DC inversa (Vr) (max)1000 V
Corrente - Media Rettificata (Io)350A
Tensione - diretta (Vf) (Max) @ If2.26 V @ 1100 A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)1 µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr35 mA @ 1000 V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioClamp On
Pacchetto / casoDO-200AA, A-PUK
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-200AA, A-PUK
Temperatura di esercizio - Giunzione-
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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