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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / FGA25N120ANTDTU-F109
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FGA25N120ANTDTU-F109
| codice articolo del costruttore: | FGA25N120ANTDTU-F109 |
| Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Parte della descrizione: | IGBT 1200V 50A 312W TO3P |
| Schede tecniche: | FGA25N120ANTDTU-F109 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU-F109 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | - |
| Pacchetto | Tube |
| Stato della parte | Active |
| Tipo IGBT | NPT and Trench |
| Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | 1200 V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 50 A |
| Corrente - Collettore pulsato (Icm) | 90 A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 50A |
| Potenza - Max | 312 W |
| Energia di commutazione | 4.1mJ (on), 960µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 200 nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 50ns/190ns |
| Condizione di test | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 350 ns |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3P |
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato delle scorte: 413
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
||
Calcolo del trasporto
US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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