FGB5N60UNDF

codice articolo del costruttore:	FGB5N60UNDF
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Schede tecniche:	FGB5N60UNDF Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Active
Tipo IGBT	NPT
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	600 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)	10 A
Corrente - Collettore pulsato (Icm)	15 A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 5A
Potenza - Max	73.5 W
Energia di commutazione	80µJ (on), 70µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Gate Charge	12.1 nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	5.4ns/25.4ns
Condizione di test	400V, 5A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	35 ns
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263AB (D²PAK)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 73530

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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