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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK8Q60W,S1VQ

TK8Q60W,S1VQ

codice articolo del costruttore: TK8Q60W,S1VQ
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
Schede tecniche: TK8Q60W,S1VQ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieDTMOSIV
PacchettoTube
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.7V @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 300 V
Caratteristica FETSuper Junction
Dissipazione di potenza (max)80W (Tc)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI-PAK
Pacchetto / casoTO-251-3 Stub Leads, IPak
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