PHD21N06LT,118

codice articolo del costruttore:	PHD21N06LT,118
Produttore:	NXP Semiconductors
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Schede tecniche:	PHD21N06LT,118 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchMOS™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.4 nC @ 5 V
Vgs (massimo)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	56W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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