NTP8G202NG

codice articolo del costruttore:	NTP8G202NG
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
Schede tecniche:	NTP8G202NG Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)	±18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	760 pF @ 400 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	65W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3

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