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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / 2SK1829TE85LF
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2SK1829TE85LF
| codice articolo del costruttore: | 2SK1829TE85LF |
| Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 20V 50MA SC70 |
| Schede tecniche: | 2SK1829TE85LF Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SK1829TE85LF è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
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Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | - |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 20 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50mA (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5.5 pF @ 3 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70 |
| Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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