RS3E180ATTB1

codice articolo del costruttore:	RS3E180ATTB1
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.4mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7200 pF @ 15 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.4W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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