TPW1R104PB,L1XHQ

codice articolo del costruttore:	TPW1R104PB,L1XHQ
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Schede tecniche:	TPW1R104PB,L1XHQ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	U-MOSIX-H
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.14mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4560 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	960mW (Ta), 132W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DSOP Advance
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 9880

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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