TK65E10N1,S1X

codice articolo del costruttore:	TK65E10N1,S1X
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET N CH 100V 148A TO220
Schede tecniche:	TK65E10N1,S1X Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	U-MOSVIII-H
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	148A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5400 pF @ 50 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	192W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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