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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TPH1R306P1,L1Q

TPH1R306P1,L1Q

codice articolo del costruttore: TPH1R306P1,L1Q
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Schede tecniche: TPH1R306P1,L1Q Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieU-MOSIX-H
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.28mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8100 pF @ 30 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)960mW (Ta), 170W (Tc)
temperatura di esercizio175°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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