FQI9N25CTU

codice articolo del costruttore:	FQI9N25CTU
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Schede tecniche:	FQI9N25CTU Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	QFET®
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.8A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	430mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.13W (Ta), 74W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 2000

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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Calcolo del trasporto

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