IRLD110

codice articolo del costruttore:	IRLD110
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Schede tecniche:	IRLD110 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

NOTA: Vishay / Siliconix IRLD110 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.

Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	540mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.1 nC @ 5 V
Vgs (massimo)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.3W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Pacchetto / caso	4-DIP (0.300", 7.62mm)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

Modelli popolari

Questo articolo è stato aggiunto al tuo carrello.