RJU002N06T106

codice articolo del costruttore:	RJU002N06T106
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Schede tecniche:	RJU002N06T106 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	18 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	UMT3
Pacchetto / caso	SC-70, SOT-323

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 23636

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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