XPW4R10ANB,L1XHQ

codice articolo del costruttore:	XPW4R10ANB,L1XHQ
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Schede tecniche:	XPW4R10ANB,L1XHQ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	70A
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4970 pF @ 10 V
Caratteristica FET	Standard
Dissipazione di potenza (max)	170W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-DSOP Advance
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 10000

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

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Arrivo in 3-5 giorni

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