G3R350MT12D

codice articolo del costruttore:	G3R350MT12D
Produttore:	GeneSiC Semiconductor
Parte della descrizione:	SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Schede tecniche:	G3R350MT12D Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	G3R™
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 4A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 15 V
Vgs (massimo)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	334 pF @ 800 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	74W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 1167

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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