GA20JT12-263

codice articolo del costruttore:	GA20JT12-263
Produttore:	GeneSiC Semiconductor
Parte della descrizione:	TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Schede tecniche:	GA20JT12-263 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	45A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 20A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3091 pF @ 800 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	282W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK (7-Lead)
Pacchetto / caso	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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