GAN063-650WSAQ

codice articolo del costruttore:	GAN063-650WSAQ
Produttore:	Nexperia
Parte della descrizione:	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Schede tecniche:	GAN063-650WSAQ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	34.5A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000 pF @ 400 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	143W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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