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IR (Infineon Technologies) / IMW120R060M1HXKSA1

IMW120R060M1HXKSA1

codice articolo del costruttore: IMW120R060M1HXKSA1
Produttore: IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Schede tecniche: IMW120R060M1HXKSA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
IR (Infineon Technologies) IMW120R060M1HXKSA1 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieCoolSiC™
PacchettoTube
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)1.2 kV
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C36A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs78mOhm @ 13A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id5.7V @ 5.6mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 18 V
Vgs (massimo)+23V, -7V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1.06 nF @ 800 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO247-3-41
Pacchetto / casoTO-247-3
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 544

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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