TPS1101D

codice articolo del costruttore:	TPS1101D
Produttore:	Texas Instruments
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	15 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	+2V, -15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	791mW (Ta)
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOIC
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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