RQ3E100MNTB1

codice articolo del costruttore:	RQ3E100MNTB1
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Schede tecniche:	RQ3E100MNTB1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	*
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	520 pF @ 15 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 5286

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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