IMW65R048M1HXKSA1

codice articolo del costruttore:	IMW65R048M1HXKSA1
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione:	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	-
Tensione da Drain to Source (Vdss)	-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	39A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Pacchetto / caso	-

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 1468

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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