HTNFET-D

codice articolo del costruttore:	HTNFET-D
Produttore:	Honeywell Aerospace
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 55V 8CDIP
Schede tecniche:	HTNFET-D Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	HTMOS™
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.3 nC @ 5 V
Vgs (massimo)	10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 28 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tj)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	8-CDIP-EP
Pacchetto / caso	8-CDIP Exposed Pad

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