TPN4R712MD,L1Q

codice articolo del costruttore:	TPN4R712MD,L1Q
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Schede tecniche:	TPN4R712MD,L1Q Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	U-MOSVI
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 5 V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	42W (Tc)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 6602

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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