Microsemi / APTC90DAM60T1G
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APTC90DAM60T1G
| codice articolo del costruttore: | APTC90DAM60T1G |
| Produttore: | Microsemi |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 |
| Schede tecniche: | APTC90DAM60T1G Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
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Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | CoolMOS™ |
| Pacchetto | Tray |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 900 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 540 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13600 pF @ 100 V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 462W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
| Pacchetto / caso | SP1 |
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
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Calcolo del trasporto
US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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