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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TJ50S06M3L(T6L1,NQ

TJ50S06M3L(T6L1,NQ

codice articolo del costruttore: TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Produttore: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte della descrizione: MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Schede tecniche: TJ50S06M3L(T6L1,NQ Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieU-MOSVI
PacchettoTape & Reel (TR)
Stato della parteActive
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124 nC @ 10 V
Vgs (massimo)+10V, -20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6290 pF @ 10 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK+
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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