RRQ030P03TR

codice articolo del costruttore:	RRQ030P03TR
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Schede tecniche:	RRQ030P03TR Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	75mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	600mW (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TSMT6 (SC-95)
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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