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| codice articolo del costruttore: | ISP25DP06LMXTSA1 |
| Produttore: | Rochester Electronics |
| Parte della descrizione: | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 |
| Schede tecniche: | ISP25DP06LMXTSA1 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | OptiMOS™ |
| Pacchetto | Bulk |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 60 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.9A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 270µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.9 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 30 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta), 5W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
Stato delle scorte: 2000
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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