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IR (Infineon Technologies) / IMBG120R090M1HXTMA1
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IMBG120R090M1HXTMA1
| codice articolo del costruttore: | IMBG120R090M1HXTMA1 |
| Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte della descrizione: | TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263 |
| Schede tecniche: | IMBG120R090M1HXTMA1 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- IR (Infineon Technologies) IMBG120R090M1HXTMA1 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | CoolSiC™ |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 1.2 kV |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 26A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 8.5A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 3.7mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 18 V |
| Vgs (massimo) | +18V, -15V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 763 pF @ 800 V |
| Caratteristica FET | Standard |
| Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-7-12 |
| Pacchetto / caso | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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